An'anaviy Al2O3 va BeO substrat materiallarining keng qamrovli ishlash afzalliklari bilan birgalikda, yuqori issiqlik o'tkazuvchanligiga (monokristalning nazariy issiqlik o'tkazuvchanligi 275 Vt/m▪k, polikristalning nazariy issiqlik o'tkazuvchanligi 70 ~ 210 Vt/m▪k), past dielektrik o'tkazuvchanligi, bitta kristalli kremniy bilan mos keladigan issiqlik kengayish koeffitsienti va yaxshi elektr izolyatsiya xususiyatlariga ega bo'lgan alyuminiy nitrid (AlN) keramikasi mikroelektronika sanoatida elektron substratlar va qadoqlash uchun ideal materialdir. Shuningdek, u yaxshi yuqori haroratli mexanik xususiyatlar, issiqlik xususiyatlari va kimyoviy barqarorligi tufayli yuqori haroratli strukturaviy keramik komponentlar uchun muhim materialdir.
AlN ning nazariy zichligi 3,26 g/sm3, MOHS qattiqligi 7-8, xona haroratidagi qarshilik 1016Ωm dan yuqori va issiqlik kengayishi 3,5 × 10-6/℃ (xona harorati 200℃). Sof AlN keramikalari rangsiz va shaffof, ammo aralashmalar tufayli ular kulrang, kulrang-oq yoki och sariq kabi turli xil ranglarda bo'ladi.
Yuqori issiqlik o'tkazuvchanligidan tashqari, AlN keramikasi quyidagi afzalliklarga ham ega:
1. Yaxshi elektr izolyatsiyasi;
2. Al2O3 va BeO kabi materiallardan ustun bo'lgan kremniy monokristaliga o'xshash issiqlik kengayish koeffitsienti;
3. Al2O3 keramikasi bilan yuqori mexanik mustahkamlik va shunga o'xshash egilish kuchi;
4. O'rtacha dielektrik doimiysi va dielektrik yo'qotish;
5. BeO bilan solishtirganda, AlN keramikasining issiqlik o'tkazuvchanligi haroratga, ayniqsa 200 ℃ dan yuqori haroratga kamroq ta'sir qiladi;
6. Yuqori haroratga chidamlilik va korroziyaga chidamlilik;
7. Toksik emas;
8. Yarimo'tkazgichlar sanoati, kimyo metallurgiya sanoati va boshqa sanoat sohalarida qo'llanilishi mumkin.
Nashr vaqti: 2023-yil 14-iyul